美国电子工程专业主要是以开展科学研究为目的的，学生可以通过参加各种类型的科学研究，对电子工程中的某些具体问题进行深入的研究。申请美国电子工程硕士院校的难度也分为好几个梯度，但一般对申请者背景要求还是很严格。以下内容就来带大家了解一下美国电子工程专业院校申请难度梯队。

一、美国电子工程专业院校申请难度第一梯队

代表院校：

斯坦福大学(Stanford University)

麻省理工学院(MIT)：不收Master

加州理工学院(Caltech)

普林斯顿大学(Princeton University)：硕士项目主要面向本校MSEE学生

申请难度分析：

建议申请这些学校的同学们GPA可以达到3.8以上，托福达到108甚至110分以上，GRE需要达到328以上。

要求申请者在学术成绩和EE领域高级课程上表现出色。

需要参与重大科研项目，并有高水平论文(如SCI二区及以上期刊)发表。

二、美国电子工程专业院校申请难度第二梯队

代表院校：

加州大学伯克利分校(UC Berkeley)

加州大学洛杉矶分校(UCLA)

卡内基梅隆大学(CMU)

申请难度分析：

一般要求GPA 3.7+、托福105+、GRE 325+。

非985的优秀学生同样有机会，只需在软实力和科研上突出表现。

　三、美国电子工程专业院校申请难度第三梯队

代表院校：

哥伦比亚大学(Columbia University)

宾夕法尼亚大学(UPenn)

康奈尔大学(Cornell University)

密歇根大学安娜堡分校(UMich)

佐治亚理工学院(Gatech)

伊利诺伊大学香槟分校(UIUC)

申请难度分析：

这些学校建议同学们的GPA可以达到3.5-3.6以上，托福可以达到103以上，GRE达到321以上。

四、美国电子工程专业院校申请难度第四梯队

南加州大学(USC)

普渡大学(Purdue University)

威斯康星大学麦迪逊分校(UW-Madison)

德州农工大学(Texas A&M University)

加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)

申请难度分析：

GPA 3.3+、托福100+、GRE 320+即可积极尝试。

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